Indiumtinaoksiid (ITO) on laialdaselt kasutatav läbipaistev juhtiv oksiid (TCO), mis ühendab endas nii kõrge elektrijuhtivuse kui ka suurepärase optilise läbipaistvuse. See on eriti oluline kristallilise räni (c-Si) päikesepatareides, kus see mängib võtmerolli energia muundamise efektiivsuse parandamisel, toimides läbipaistva elektroodina või kontaktkihina.
Kristallilise räni päikesepatareides kasutatakse ITO-katteid peamiselt esikontaktkihina, et koguda tekkivad laengukandjad, lastes samal ajal võimalikult palju valgust aktiivsele ränikihile läbi pääseda. See tehnoloogia on pälvinud märkimisväärset tähelepanu, eriti selliste suure efektiivsusega patareitüüpide puhul nagu heterosiirdega (HJT) ja tagakontaktiga päikesepatareid.
| Funktsioon | Efekt |
|---|---|
| Elektrijuhtivus | Pakub elektronidele madala takistusega teed rakust välisele vooluringile liikumiseks. |
| Optiline läbipaistvus | Võimaldab valguse suurt läbilaskvust, eriti nähtavas spektris, maksimeerides ränikihini jõudva valguse hulga. |
| Pinna passiveerimine | Aitab vähendada pinna rekombinatsiooni, suurendades päikesepatarei üldist efektiivsust. |
| Vastupidavus ja stabiilsus | Omab suurepärast mehaanilist ja keemilist stabiilsust, tagades päikesepatareide pikaealisuse ja töökindluse välitingimustes. |
Kristallilise räni päikesepatareide ITO-katte eelised
Suur läbipaistvus:
ITO-l on nähtava valguse spektris kõrge läbipaistvus (umbes 85–90%), mis tagab, et aluskiht suudab neelata rohkem valgust, parandades energia muundamise efektiivsust.
Madal takistus:
ITO pakub head elektrijuhtivust, tagades tõhusa elektronide kogumise räni pinnalt. Selle madal takistus tagab minimaalse võimsuskao esikontaktkihi tõttu.
Keemiline ja mehaaniline stabiilsus:
ITO-katted on suurepärase vastupidavusega keskkonnakahjustustele, näiteks korrosioonile, ning on stabiilsed kõrgete temperatuuride ja UV-kiirguse käes. See on ülioluline päikeseenergia rakenduste jaoks, mis peavad vastu pidama karmidele välistingimustele.
Pinna passiveerimine:
ITO aitab ka räni pinda passiivistada, vähendades pinna rekombinatsiooni ja parandades päikesepatarei üldist jõudlust.
Postituse aeg: 29. november 2024