Indio-Stanoksido (ITO) estas vaste uzata travidebla konduktiva oksido (TCO), kiu kombinas kaj altan elektran konduktivecon kaj bonegan optikan travideblecon. Ĝi estas aparte grava en kristalaj siliciaj (c-Si) sunĉeloj, kie ĝi ludas ŝlosilan rolon en plibonigado de la efikeco de energikonverto per funkciado kiel travidebla elektrodo aŭ kontaktotavolo.
En sunĉeloj el kristala silicio, ITO-tegaĵoj estas ĉefe uzataj kiel la antaŭa kontaktotavolo por kolekti la generitajn portantojn, samtempe permesante al kiel eble plej multe da lumo trapasi al la aktiva silicia tavolo. Ĉi tiu teknologio akiris signifan atenton, precipe por alt-efikecaj ĉeltipoj kiel heterojunkcio (HJT) kaj malantaŭ-kontaktaj sunĉeloj.
| Funkcio | Efiko |
|---|---|
| Elektra konduktiveco | Provizas malalt-rezistancan vojon por elektronoj por vojaĝi de la ĉelo al la ekstera cirkvito. |
| Optika Travidebleco | Permesas altan transdonon de lumo, precipe en la videbla spektro, maksimumigante la kvanton de lumo atinganta la silician tavolon. |
| Surfaca Pasivigo | Helpas redukti surfacan rekombinadon, plibonigante la ĝeneralan efikecon de la sunĉelo. |
| Daŭreco kaj Stabileco | Montras bonegan mekanikan kaj kemian stabilecon, certigante la longvivecon kaj fidindecon de la sunĉeloj sub eksteraj kondiĉoj. |
Avantaĝoj de ITO-tegaĵo por kristalaj siliciaj sunĉeloj
Alta Travidebleco:
ITO havas altan travideblecon en la videbla lumspektro (ĉirkaŭ 85-90%), kio certigas, ke pli da lumo povas esti absorbita de la subesta silicia tavolo, plibonigante energi-konvertan efikecon.
Malalta Rezisteco:
ITO ofertas bonan elektran konduktivecon, certigante efikan elektronan kolektadon de la silicia surfaco. Ĝia malalta rezisteco certigas minimuman potencperdon pro la antaŭa kontaktotavolo.
Kemia kaj Mekanika Stabileco:
ITO-tegaĵoj montras bonegan reziston al media degradiĝo, kiel ekzemple korodo, kaj estas stabilaj sub altaj temperaturoj kaj UV-eksponiĝo. Ĉi tio estas decida por sunaj aplikoj, kiuj devas elteni severajn eksterajn kondiĉojn.
Surfaca Pasivigo:
ITO ankaŭ povas helpi pasivigi la surfacon de la silicio, reduktante surfacan rekombinadon kaj plibonigante la ĝeneralan rendimenton de la sunĉelo.
Afiŝtempo: 29-a de novembro 2024