Elektronické vlastnosti tenkých vrstev se výrazně liší od vlastností sypkých materiálů a některé fyzikální efekty projevující se na tenkých vrstvách je obtížné nalézt na sypkých materiálech.
U objemových kovů se odpor snižuje v důsledku poklesu teploty. Při vysokých teplotách se odpor snižuje s teplotou pouze jednou, zatímco při nízkých teplotách se odpor snižuje s teplotou pětkrát. U tenkých vrstev je to však zcela jinak. Na jedné straně je odpor tenkých vrstev vyšší než u objemových kovů a na druhé straně se odpor tenkých vrstev po poklesu teploty snižuje rychleji než odpor objemových kovů. Je to proto, že v případě tenkých vrstev je příspěvek povrchového rozptylu k odporu větší.
Dalším projevem abnormální vodivosti tenkého filmu je vliv magnetického pole na odpor tenkého filmu. Odpor tenkého filmu pod působením vnějšího magnetického pole je větší než odpor blokového materiálu. Důvodem je, že když se film pohybuje vpřed po spirálové trajektorii, pokud je poloměr jeho spirálové linie větší než tloušťka filmu, elektrony se během pohybu rozptylují na povrchu, což má za následek dodatečný odpor, který vede k většímu odporu filmu než blokového materiálu. Zároveň bude také větší než odpor filmu bez působení magnetického pole. Tato závislost odporu filmu na magnetickém poli se nazývá magnetorezistenční efekt a obvykle se používá k měření síly magnetického pole. Například tenkovrstvé solární články a-Si, CulnSe2 a CaSe, stejně jako Al203CeO, CuS, CoO2, CO3O4, CuO, MgF2, SiO, TiO2, ZnS, ZrO atd.
Čas zveřejnění: 11. srpna 2023