E proprietà elettroniche di i filmi sottili sò significativamente diverse da quelle di i materiali in massa, è certi effetti fisichi mostrati nantu à i filmi sottili sò difficiuli da truvà nantu à i materiali in massa.
Per i metalli in massa, a resistenza diminuisce per via di una diminuzione di a temperatura. À alte temperature, a resistenza diminuisce solu una volta cù a temperatura, mentre chì à basse temperature, a resistenza diminuisce cinque volte cù a temperatura. Tuttavia, per i film sottili, hè cumpletamente diversu. Da una parte, a resistività di i film sottili hè più alta di quella di i metalli in massa, è da l'altra parte, a resistività di i film sottili diminuisce più rapidamente di quella di i metalli in massa dopu chì a temperatura diminuisce. Questu hè perchè in u casu di film sottili, u cuntributu di a dispersione superficiale à a resistenza hè più grande.
Un'altra manifestazione di cunduttività anormale di una pellicola sottile hè l'influenza di u campu magneticu nantu à a resistenza di a pellicola sottile. A resistenza di una pellicola sottile sottu à l'azione di un campu magneticu esternu hè più grande di quella di un materiale simile à un bloccu. A ragione hè chì quandu a pellicola avanza longu a traiettoria a spirale, finu à chì u raghju di a so linea a spirale hè più grande di u spessore di a pellicola, l'elettroni si sparghjeranu à a superficia durante u prucessu di muvimentu, risultendu in una resistenza supplementaria, chì porta à una resistenza di a pellicola più grande di quella di u materiale simile à un bloccu. À u listessu tempu, serà ancu più grande di a resistenza di a pellicola senza l'azione di un campu magneticu. Questa dipendenza di a resistenza di a pellicola da u campu magneticu hè chjamata effettu di magnetoresistenza, chì hè generalmente adupratu per misurà a forza di u campu magneticu. Per esempiu, e cellule solari à pellicola sottile a-Si, CulnSe2 è CaSe, è ancu Al203 CeO, CuS, CoO2, CO3O4, CuO, MgF2, SiO, TiO2, ZnS, ZrO, ecc.
Data di publicazione: 11 d'aostu 2023