Benvinguts a Guangdong Zhenhua Technology Co., Ltd.
bàner_únic

Tecnologia de recobriment d'ITO (òxid d'indi i estany) per a cèl·lules solars de silici cristal·lí

Font de l'article: Aspiradora Zhenhua
Lectura: 10
Publicat: 24-11-29

L'òxid d'indi i estany (ITO) és un òxid conductor transparent (TCO) àmpliament utilitzat que combina una alta conductivitat elèctrica i una excel·lent transparència òptica. És particularment important en les cèl·lules solars de silici cristal·lí (c-Si), on juga un paper clau en la millora de l'eficiència de la conversió d'energia servint com a elèctrode transparent o capa de contacte.

En les cèl·lules solars de silici cristal·lí, els recobriments d'ITO s'utilitzen principalment com a capa de contacte frontal per recollir els portadors generats, permetent alhora que passi tanta llum com sigui possible a la capa de silici activa. Aquesta tecnologia ha rebut una atenció significativa, especialment per a tipus de cèl·lules d'alta eficiència com ara les cèl·lules d'heterounió (HJT) i les cèl·lules solars de contacte posterior.

Funció Efecte
Conductivitat elèctrica Proporciona una via de baixa resistència perquè els electrons viatgin des de la pila fins al circuit extern.
Transparència òptica Permet una alta transmissió de la llum, especialment en l'espectre visible, maximitzant la quantitat de llum que arriba a la capa de silici.
Passivació superficial Ajuda a reduir la recombinació superficial, millorant l'eficiència general de la cèl·lula solar.
Durabilitat i estabilitat Presenta una excel·lent estabilitat mecànica i química, cosa que garanteix la longevitat i la fiabilitat de les cèl·lules solars en condicions exteriors.

 

 

 

 

Avantatges del recobriment ITO per a cèl·lules solars de silici cristal·lí
Alta transparència:

L'ITO té una alta transparència en l'espectre de llum visible (al voltant del 85-90%), cosa que garanteix que la capa de silici subjacent pugui absorbir més llum, millorant l'eficiència de la conversió d'energia.
Baixa resistivitat:

L'ITO ofereix una bona conductivitat elèctrica, cosa que garanteix una recollida eficient d'electrons de la superfície de silici. La seva baixa resistivitat garanteix una pèrdua de potència mínima a causa de la capa de contacte frontal.

Estabilitat química i mecànica:

Els recobriments ITO presenten una excel·lent resistència a la degradació ambiental, com ara la corrosió, i són estables a altes temperatures i a l'exposició als raigs UV. Això és crucial per a aplicacions solars que han de suportar condicions exteriors dures.
Passivació superficial:

L'ITO també pot ajudar a passivar la superfície del silici, reduint la recombinació superficial i millorant el rendiment general de la cèl·lula solar.


Data de publicació: 29 de novembre de 2024