Ìmọ̀ ẹ̀rọ ìbòrí ìbòrí ìbòrí ni a mọ̀ dáadáa fún bí ó ṣe rọrùn tó láti yí àyíká ká, bí ó ṣe ń ṣiṣẹ́ dáadáa, bí fíìmù ṣe dọ́gba tó, àti bí fíìmù ṣe ń gbóná tó. Nínú àwọn ohun èlò ilé iṣẹ́, a sábà máa ń pín àwọn ohun èlò ìbòrí ìbòrí sí oríṣi méjì pàtàkì: Ìbòrí ìgbórí ìbòrí ìbòrí (PVD) àti Ìbòrí ìgbórí ìbòrí ìbòrí ìbòrí (CVD).
Àwọn ètò ìṣàfihàn èéfín ara (PVD) ní ìtújáde, ìtújáde, àti àwọn ìmọ̀ ẹ̀rọ ìpara ion. Àwọn ètò ìṣàfihàn èéfín lo onírúurú ọ̀nà ìgbóná láti mú kí àwọn ohun èlò ìpara yọ́, bíi ìtújáde gbígbóná resistance, ìtújáde electron beam (E-beam), ìtújáde gbígbóná induction, àti ìtújáde arc. Ní ọwọ́ kejì ẹ̀wẹ̀, àwọn ètò ìṣàfihàn èéfín atom tí a fi plasma ṣe gbára lé ìtújáde atom tí a fi plasma ṣe, wọ́n sì ní sputtering direct current (DC), sputtering frequency radio (RF), magnetron sputtering, àti reactive sputtering process. Àwọn ètò ìṣàfihàn ion ń so plasma àti evaporation tàbí sputtering pọ̀ láti mú kí fíìmù náà ní ìsopọ̀ àti density pọ̀ sí i, pẹ̀lú àwọn ìmọ̀ ẹ̀rọ tí ó wọ́pọ̀ pẹ̀lú cathodic arc ion plating, magnetron sputtering ion plating, àti hollow cathode ion plating.
Àwọn ètò ìtújáde afẹ́fẹ́ kẹ́míkà (CVD) ní àwọn ìṣesí kẹ́míkà ti àwọn ohun tí ó ń ṣáájú gaseous láti ṣẹ̀dá àwọn fíìmù tín-tín tó lágbára lórí àwọn ojú ilẹ̀. Àwọn ìmọ̀-ẹ̀rọ CVD tí ó wọ́pọ̀ ní Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition (APCVD), Low Pressure Chemical Vapor Deposition (LPCVD), Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD), Metal-Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD), àti Atomic Layer Deposition (ALD), ọ̀kọ̀ọ̀kan wọn bá àwọn ètò ohun èlò àti àwọn ohun tí a nílò mu.
Àwọn ìmọ̀ ẹ̀rọ ìbòrí ìgbálẹ̀ ni a lò ní ọ̀pọ̀lọpọ̀ ilé iṣẹ́, títí bí iṣẹ́ ọkọ̀ ayọ́kẹ́lẹ́, ẹ̀rọ itanna àti ẹ̀rọ itanna oníbàárà (bíi fóònù alágbèéká), àwọn semiconductors, àwọn ohun èlò ilé, àwọn ohun èlò ìmọ́tótó, àwọn ọjà kẹ́míkà ojoojúmọ́, àwọn ohun èlò ọ̀ṣọ́, àti àwọn ohun èlò fíìmù tí ó rọrùn.
-Atẹ̀jáde àpilẹ̀kọ yìí ni a tẹ̀ jáde láti ọwọ́olupese ẹrọ ti a fi n bo igbaleẸ̀rọ ìfọṣọ Zhenhua
Àkókò ìfìwéránṣẹ́: Oṣù Kẹrin-02-2026