ۋاكۇئۇم قاپلاش ۋە نانوتېخنىكىنى بىرلەشتۈرۈش: ماتېرىيال ئىلمى ساھەسىدە يېڭى بىر دەۋرنى ئېچىش

ئىلغار ماتېرىيال ئىنژېنېرلىقى ساھەسىدە، چوڭقۇر بىر گەۋدىلەشتۈرۈشۋاكۇئۇم قاپلاش تېخنىكىسى ۋە نانوتېخنىكاyيۈزەكى ئىقتىدارلاشتۇرۇش ۋە يۇقىرى ئىقتىدارلىق ماتېرىيال لايىھىلەشتە ئىنقىلابىي ئىلگىرىلەشلەرنى ئىلگىرى سۈرمەكتە. يۇقىرى ۋاكۇئۇم مۇھىتىدا فىزىكىلىق پار چۆكمىسى (PVD)، خىمىيىلىك پار چۆكمىسى (CVD) ۋە ئاتوم قەۋىتى چۆكمىسى (ALD) قاتارلىق ئىلغار جەريانلاردىن پايدىلىنىش ئارقىلىق، بىز نانو ئۆلچىمىدە ماتېرىيال تەركىبى، قۇرۇلمىسى ۋە مورفولوگىيەسىنى ئېنىق كونترول قىلالايمىز. بۇ كۆپ ساھەلىك بىرىكمە پەقەت ئەنئەنىۋى قاپلاملارنىڭ ئىقتىدار چەكلىمىسىدىن ئېشىپلا قالماي، يەنە كېيىنكى ئەۋلاد نانو ئۈسكۈنىلەرنى ئىشلەپچىقىرىش ئۈچۈن پۇختا ئاساس سالىدۇ.

نانو ئۆلچەملىك نېپىز پەردە چۆكمىسىنى ئېنىق كونترول قىلىش
ماگنىترون پۈركۈش، ئېلېكترون نۇرى پارغا ئايلىنىش ۋە ئىمپۇلسلىق لازېر چۆكمىسى (PLD) قاتارلىق ۋاكۇئۇم قاپلاش جەريانلىرى، ئالاھىدە پىلاستىنكا بىردەكلىكى، تۆۋەن نۇقسان زىچلىقى ۋە يۇقىرى يېپىشقاقلىقى سەۋەبىدىن، نانوكۆپ قەۋەتلىك، ئۈستۈنكى تور قۇرۇلمىسى ۋە كۋانت نۇقتا قاتارلىرىنى ياساشنىڭ ئاساسلىق تېخنىكىسىغا ئايلاندى. چۆكمە پارامېتىرلىرىنى (مەسىلەن، ئاساسىي قاتلام تېمپېراتۇرىسى، خىزمەت بېسىمى ۋە پلازما كۈچى) تەڭشەش ئارقىلىق، پىلاستىنكا قېلىنلىقىنى نانومېتىردىن تۆۋەنكىدىن يۈزلىگەن نانومېتىرغىچە ئېنىق كونترول قىلغىلى بولىدۇ، بۇ ئوپتىكىلىق سۈزگۈچ، قاتتىق قوغداش قاپلىمىلىرى ۋە مىكرو ئېلېكترو مېخانىكىلىق سىستېما (MEMS) ئۈسكۈنىلىرىگە بولغان قاتتىق تەلەپلەرنى قاندۇرالايدۇ.

ئاتوم قەۋىتىنى چۆكتۈرۈش: نانو ئۆلچەملىك قاپلاش ۋە 3D قۇرۇلمىلاردا ئىنقىلابىي ئۆزگىرىش
ALD تېخنىكىسى، ئۆزىنى چەكلەيدىغان يۈزەكى خىمىيىلىك رېئاكسىيەلەر ئارقىلىق، مۇرەككەپ ئۈچ ئۆلچەملىك قۇرۇلمىلارغا ئاتوم سەۋىيىسىدىكى ئېنىقلىقتىكى نېپىز پەردە قاپلاشنى ئىشقا ئاشۇرىدۇ. بۇ خۇسۇسىيەت ئۇنى نانو تۆشۈكلۈك ماتېرىياللارنى ئۆزگەرتىش، يۇقىرى كەڭلىك نىسبىتىدىكى قۇرۇلمىلارنى قاپلاش ۋە ئېنېرگىيە ساقلاش ئۈسكۈنىلىرىدىكى (مەسىلەن، پۈتۈنلەي قاتتىق ھالەتلىك باتارېيەلەر) ئېلېكترود/ئېلېكترولىت ئۇلىنىشلىرىنى لايىھىلەشتە مۇھىم رول ئوينايدۇ. مەسىلەن، لىتىي ئىئون باتارېيەلىرىدە، ALD بىلەن قاپلانغان ئاليۇمىن ياكى ھافنىيا نانو قەۋىتى كاتود ماتېرىياللىرىنىڭ ئىسسىقلىق مۇقىملىقى ۋە دەۋرىيلىك ئۆمرىنى كۆرۈنەرلىك دەرىجىدە ئاشۇرالايدۇ.

فۇنكسىيەلىك نانو قۇرۇلمىلارنىڭ يېتەكچىلىك قۇرۇلۇشى
شابلون ياردەملىك چۆكمە ۋە نانولىتوگرافىيە تېخنىكىسى بىلەن بىرلەشتۈرۈلگەندە، ۋاكۇئۇم قاپلاش نانو سىملار، نانو تۇرۇبا ۋە نانو تۆشۈك شەكىللىك تاختىلارنىڭ يۆنىلىشلىك ئۆسۈشىنى تېخىمۇ ئىلگىرى سۈرەلەيدۇ. بۇ خىل قۇرۇلمىلار يۈزەكى پلازمون رېزونانس (SPR) سېنزورلىرى، كاتالىزاتورلۇق ئۆزگەرتكۈچلەر ۋە يۇقىرى ئىقتىدارلىق ترانزىستورلاردا زور يوشۇرۇن كۈچكە ئىگە. مەسىلەن، ئانودلۇق ئاليۇمىن ئوكسىد (AAO) شابلونلىرى ئىچىگە تىتان دىئوكسىد نانو تۇرۇبا شەكىللىك تاختىلارنى چۆكتۈرۈش ئۈچۈن رېئاكتىپ پۈركۈش ئۇسۇلىنى قوللىنىش فوتوكاتالىزاتورلۇق پارچىلىنىش ئۈنۈمىنى زور دەرىجىدە ياخشىلىيالايدۇ.

كەلگۈسىگە يۈزلەنگەن قوللىنىش ئىستىقبالى
نانوتېخنىكا ۋە ۋاكۇئۇم قاپلاش ساھەسىدە ئۈزلۈكسىز يېڭىلىق يارىتىش ئارقىلىق، ئەقلىي ئىقتىدارلىق ماسلىشىشچان قاپلاش، يۇمشاق ئېلېكترونلۇق ئۈسكۈنىلەر ۋە كۋانت ھېسابلاش زاپچاسلىرى قاتارلىق يېڭىدىن گۈللىنىۋاتقان ساھەلەردە زور ئىلگىرىلەشلەر قولغا كەلتۈرۈلمەكتە. كۆپ قاتلاملىق بىرلەشتۈرۈش ۋە كۆرۈنمە يۈز قۇرۇلۇشىنىڭ بىرىكمە ئەلالاشتۇرۇشى ئارقىلىق، بىز «مىكرو قۇرۇلما لايىھەسى» دىن «ماكروسكوپ ئىقتىدار خاسلاشتۇرۇش» غىچە بولغان بوشلۇقنى تەدرىجىي يېڭىلاپ، ئاۋىئاتسىيە، بىئومېدىتسىنا ۋە ئىمكانقەدەر ئۇزاققىچە داۋاملىشىدىغان ئېنېرگىيە قاتارلىق كەسىپلەر ئۈچۈن ئۆزگەرتىش خاراكتېرلىك ھەل قىلىش چارىلىرى بىلەن تەمىنلەۋاتىمىز.

—بۇ ماقالە ئېلان قىلىندىۋاكۇئۇم قاپلاش ئىشلەپچىقارغۇچىجېنخۇا چاڭ-توزان سۈمۈرۈش ماشىنىسى