CVD технологиясе химик реакциягә нигезләнгән. Реакторлар газлы һәм продуктларның берсе каты хәлдә булган реакция гадәттә CVD реакциясе дип атала, шуңа күрә аның химик реакция системасы түбәндәге өч шартны үтәргә тиеш.
(1) Чокыр температурасында реакторлар җитәрлек югары пар басымы булырга тиеш. Әгәр реакторлар бүлмә температурасында газлы булса, чүпләү җайланмасы чагыштырмача гади, реакторлар бүлмә температурасында үзгәрүчән булса, аны үзгәрү өчен җылытырга кирәк, һәм кайвакыт реакция газына китерер өчен ташучы газ кулланырга кирәк.
(2) Реакция продуктларыннан барлык матдәләр газлы хәлдә булырга тиеш, каты хәлдә булган кирәкле запаслардан кала.
. Чокыр температурасында субстрат материалның пар басымы да җитәрлек түбән булырга тиеш.
Чүпләү реакторлары түбәндәге өч төп дәүләткә бүленә.
(1) Газлы хәл. Бүлмә температурасында газлы чыганак материаллар, мәсәлән, метан, углерод газы, аммиак, хлор һ.б.
2) сыек. Бүлмә температурасында яки бераз югарырак температурада кайбер реакция матдәләре, югары пар парлары басымы бар, мәсәлән, TiCI4, SiCl4, CH3SiCl3 һ.б.
3) Каты хәл. Уңайлы газ яки сыек чыганак булмаганда, каты торыштагы азык запаслары гына кулланыла ала. Кайбер элементлар яки аларның кушылмалары йөзләгән градус парларның басымына ия, мәсәлән, TaCl5, Nbcl5, ZrCl4 һ.б., кино катламына салынган ташучы газ ярдәмендә студиягә кертелергә мөмкин.
Билгеле газ һәм чыганак материалы газ-каты яки газ-сыек реакция аша еш очрый торган ситуация, студиягә җибәрү өчен тиешле газ компонентлары формалаштыру. Мәсәлән, HCl газы һәм металл GaCl газлы компонент формалаштыралар, GaCl формасында студиягә ташыла.
IsБу мәкалә бастырылганвакуум каплау машинасы җитештерүчеГуандун Чжэнхуа
Пост вакыты: 16-2023 ноябрь