Заманча өслек инженериясендә, физик пар катламы (ФПК), пленканың югары сыйфатлы эшләве һәм экологик яктан чиста үзенчәлекләре аркасында, төп вакуум каплау технологиясе буларак барлыкка килде. Бу мәкаләдә ППК технологиясенең принциплары, классификацияләре һәм типик кулланылышлары тирәнтен анализлана, бу өлкәдәге белгечләр өчен техник мәгълүмат тәкъдим ителә.
PVD технологиясенең 1 нче төп принциплары
PVD - вакуум шартларында башкарыла торган процесс (гадәттә ≤10⁻³ Па), анда каплау материалы физик яктан парга әйләнә һәм аннары субстрат өслегенә конденсацияләнә, каты юка пленка барлыкка китерә. Бу техника түбәндәгеләр белән характерлана:
Чагыштырмача түбән утырма температурасы (гадәттә <500°C)
Югары пленка сафлыгы һәм контрольдә тотыла торган состав
Экологик яктан чиста (чүп-чар сулары агып чыкмый)
Нанометр дәрәҗәсендәге төгәллек контроле
2 нче номерлы классификацияләрPVD җиһазларытПроцесслар
1. Вакуум парга әйләндерү каплавы
Вакуум парландыру каплау материалын туендырылган пар басымына җиткәнче һәм парга әйләнгәнче җылытуны үз эченә ала. Гадәти төрләргә түбәндәгеләр керә:
Резистив җылыту парга әйләнүе
Җылыту элементлары буларак вольфрам яки молибден кебек утка чыдам металларны куллана. Алюминий (Al) һәм көмеш (Ag) кебек түбән эрү температурасы булган материаллар өчен яраклы.
Электрон нурының парга әйләнүе (EB-PVD)
Максат материалын бомбага тоту өчен электрон пистолет (10–30 кВ) куллана, 3000°C тан артык локаль температура тудыра. Югары эрү температурасы булган оксидлар өчен идеаль.
Молекуляр нур эпитаксисы (MBE)
Эпитаксиаль пленка үсешен атом дәрәҗәсендә контрольдә тотарга мөмкинлек бирүче, ультра югары вакуум (≤10⁻⁸ Па) астында башкарыла торган бик төгәл техника.
2. Сиптерү
Сиптерү югары энергияле кисәкчәләрнең максатлы материалны бомбага тотуын, субстратка төшкән атомнарны чыгаруын үз эченә ала. Сиптерүнең төп төрләре түбәндәгеләрне үз эченә ала:
ДС сиптерү (туры ток)
Төп сиптерү ысулы; максат электр үткәргеч булырга тиеш.
Радиоешлыклы сиптерү (радиоешлык)
13,56 МГц ешлыгында эшли, изоляция материалларының сиптерелүенә мөмкинлек бирә.
Магнетрон сиптерү
Балансланган төр: Максат өслеге буенча 100–300 Гаусс магнит кыры көче
Балансланмаган төр: яхшырак утыру өчен плазма диффузиясен көчәйткән
Урта ешлыклы игезәк катод: Реактив сиптерүдә "максатлы агулану" мәсьәләсен хәл итә
Югары Көчле Импульслы Магнетрон Сиптерү (HIPIMS): Ионлашу дәрәҗәсе >90%, ультра тыгыз, колонкасыз пленкалар җитештерә
№3 PVD технологиясенең типик кулланылышы
Корал каплаулары
TiN, TiAlN кебек каты капламалар (катылыгы >3000 HV)
Кисү кораллары һәм калып өслеген яхшырту өчен киң кулланыла
Декоратив капламалар
ZrN, TiZrN кулланып алтынсыман бизәкләр
Кәрәзле телефон рамкаларына, ванна бүлмәсе җиһазларына һәм кулланучы товарларына кулланыла
Функциональ юка пленкалар
ITO (Индий калай оксиды) катлам каршылыгы <10 Ω/□ булган үтә күренмәле үткәргеч пленкалар
Күренмә яктылык үткәрүчәнлеге > 99% булган оптик чагылышка каршы капламалар
Ярымүткәргечле упаковка
Пластиналы дәрәҗәдәге металлизация (Al, Cu үзара тоташа)
Диффузиягә каршы тору өчен TaN, TiN кулланып, барьер катламын урнаштыру
-Бу мәкалә бастырып чыгарылдывакуум каплау машинасы җитештерүчесе Чжэньхуа вакуум җайланмасы.
Бастырып чыгару вакыты: 2025 елның 18 июне