I le inisinia o luga o le fogaeleele i aso nei, ua tulaʻi mai le Physical Vapor Deposition (PVD) o se tekinolosi autu o le ufiufiina o le vacuum ona o lona faatinoga sili ona lelei o le ata tifaga ma uiga lelei i le siosiomaga. O lenei tusiga o loʻo tuʻuina atu ai se auiliiliga loloto o mataupu faavae, faʻavasegaga, ma faʻaoga masani o le tekinolosi PVD, e ofoina atu ai ni malamalamaaga faʻapitoa mo tagata tomai faapitoa i le matata.
Mataupu Faavae Autu Nu.1 o Tekonolosi PVD
O le PVD o se faiga e faia i lalo o tulaga o le vacuum (e masani lava ≤10⁻³ Pa), lea e fa'a'ausa fa'aletino ai se mea ufiufi ona fa'aputuina lea i luga o le fogāeleele e fausia ai se ata manifinifi ma mafiafia. O lenei metotia e fa'ailoaina i:
Vevela maualalo o le teuina (e masani lava <500°C)
Maualuga le mama o le ata tifaga ma le tuufaatasiga e mafai ona pulea
Fa'alelei i le siosiomaga (leai se otaota e fa'amamāina)
Puleaina o le sa'o o le tulaga o le nanometer
Nu.2 Fa'avasegaga oMeafaigaluega PVDtFaiga
1. Ufiufi Fa'amamago
O le fa'apuna i le masini e aunoa ma le vacuum e aofia ai le fa'avevela o le mea ufiufi se'ia o'o i lona mamafa o le ausa ma fa'apuna ai. O ituaiga masani e aofia ai:
Fa'amamago o le Fa'avevela Tete'e
E fa'aaogā u'amea e tete'e i le vevela e pei o le tungsten po'o le molybdenum e fai ma elemene fa'avevela. E talafeagai mo mea e maualalo le tulaga e liu ai le vevela e pei o le alumini (Al) ma le siliva (Ag).
Fa'amamago o le Ave Eletoni (EB-PVD)
Fa'aaogā se fana eletise (10–30 kV) e fa'apāpā ai le mea o lo'o fa'amoemoeina, ma fa'atupuina ai le vevela i le lotoifale e silia ma le 3000°C. E fetaui lelei mo oxides e maualuga le melting-point.
Molecular Beam Epitaxy (MBE)
O se metotia sa'o tele e faia i lalo o le vacuum maualuga tele (≤10⁻⁸ Pa), e mafai ai ona pulea le tulaga atomika mo le tuputupu a'e o le ata epitaxial.
2. Fa'aputuga o le Sputtering
O le sputtering e aofia ai ni vaega malolosi e fa'apapāpāina se mea e fa'atatau i ai, ma fa'ate'a ese ai ni atomu e fa'aputu i luga o le substrate. O ituaiga autu o le sputtering e aofia ai:
Fa'asalalauina o le DC (Tafe Tuusa'o)
Metotia fa'avae o le sputtering; e tatau ona tafe eletise le sini.
RF Sputtering (Fa'asalalauga Fa'asalalau)
E fa'agaoioia i le 13.56 MHz, e fa'ataga ai le sputtering o mea e taofia ai le vevela.
Fa'aoso o le Magnetron
Ituaiga Paleni: Malosiaga o le fanua maneta e 100–300 Gauss i luga o le fogaeleele o le sini
Ituaiga Lē Paleni: Fa'aleleia atili le sosolo o le plasma mo le fa'aleleia atili o le teuina
Mid-Frequency Twin Cathode: Foia le faʻafitauli o le "faʻaleagaina o le sini" i le reactive sputtering
Fa'asolosolo o le Magnetron Sputtering Malosiaga Maualuga (HIPIMS): Fuainumera o le Ionization >90%, e gaosia ai ata tifaga e matua mafiafia lava, e le o ni koluma
Nu.3 Fa'aoga Masani o Tekonolosi PVD
Ufiufi Meafaigaluega
O ufiufi malo e pei o le TiN, TiAlN (malosi >3000 HV)
Fa'aaogaina lautele mo le tipiina o meafaigaluega ma le fa'aleleia atili o le fa'apipi'iina
Ufiufi Teuteuga
Fa'auma e pei o le auro e fa'aaoga ai le ZrN, TiZrN
Fa'aaogaina i fa'avaa telefoni feavea'i, mea fa'apipi'i faleta'ele, ma oloa fa'atau
Ata Manifi Fa'atino
Ata tifaga manino e fa'a'ave'ave ai le ITO (Indium Tin Oxide) ma le tete'e atu i pepa <10 Ω/□
Ufiufi fa'apitoa e tete'e atu i le atagia mai o le malamalama ma le fesiita'iga o le malamalama vaaia >99%
Afifiina o le Semiconductor
Fa'ametalaina i le tulaga o le wafer (Al, Cu feso'ota'iga)
O le teuina o le pa puipui e fa'aaoga ai le TaN, TiN mo le tete'e atu i le sosolo
-O lenei tusiga ua fa'asalalauina egaosi oloa masini ufiufi vacuum Zhenhua Vacuum.
Taimi na lafoina ai: Iuni-18-2025