Mat der schneller Entwécklung vun fortgeschrattene Verpackungstechnologien gëtt TGV (Through Glass Via) lues a lues zu enger wichteger Verbindungsléisung fir Glassubstrater. Duerch seng Virdeeler vun niddregem dielektresche Verloscht, exzellenter thermescher Stabilitéit, héijer Bearbeitungspräzisioun a staarker Isolatiounseigenschaften huet TGV aussergewéinlech Leeschtung an der optescher Kommunikatioun, MEMS, Sensoren an High-Speed-Verbindungen gewisen, an erweidert sech elo och op méi High-End-Applikatiounsszenarien.
D'Evolutioun vun den TGV-Strukturen bréngt awer och nei Erausfuerderunge bei der Fabrikatioun mat sech: méi kleng Via-Duerchmiesser, méi komplex Geometrien an ëmmer méi grouss Aspektverhältnisser. Besonnesch ënner Bedingungen vun engem Via-Duerchmiesser vun 30 μm an Aspektverhältnisser vu méi wéi 10:1 gëtt d'Erreeche vun enger eenheetlecher Keimschichtoflagerung am Duerchgangskanal laang als ee vun de kriteschsten Engpässe unerkannt. Och wann e manner siichtbar an der Prozesskette ass, bestëmmt dëse Schrëtt direkt d'elektresch Leeschtung an d'laangfristeg Zouverlässegkeet vum Apparat.
Nr. 1 aktuell Erausfuerderungen an der Mikro-Via-Beschichtung
Bei TGV- an TSV-Prozesser kënnen typesch Duerchmiesser vu Viaen esou kleng wéi 30 μm sinn, mat Ufuerderunge fir en Aspektverhältnis vu méi wéi 10:1. Ënner dëse Konditioune stinn konventionell Beschichtungsmethoden op verschidde Limitatiounen:
Oflagerungsdoutzonen: Stark Schatteffekter laanscht d'Säitewänn féieren dacks zu diskontinuéierleche Filmer, déi d'Konduktivitéit an d'Hermetizitéit ënnergruewen.
Net-Uniformitéit vun der Schichtdicke: Bedeitend Ënnerscheeder an der Oflagerungsquote tëscht Via-Öffnungen a Buedem féieren zu lokalen Widderstandsproblemer.
Onzureichend Kompatibilitéit mat verschiddene Materialien: Wann verschidde Materialien wéi Cu, Ti, W, Ni a Pt op Glas- oder Siliziumsubstrater ofgesat ginn, ass et schwéier souwuel d'Adhäsioun wéi och d'Uniformitéit iwwer all Schichten ze garantéieren.
Dës Problemer beaflossen direkt d'Ausbezuelung, erhéijen d'Risiko vun der Nobearbechtung an d'Prozesskäschten a limitéieren d'Effizienz vun der Produktioun a grousse Volumen.
Nr. 2. ZHENHUA Vakuum Déif-Via Beschichtungsléisung
Virdeeler vun der Ausrüstung:
Optiméiert Déif-Via Beschichtung
Mat der proprietärer Deep-Via-Beschichtungstechnologie vun ZHENHUA kann eng eenheetlech Somschichtoflagerung och a Viaen mat engem Duerchmiesser vun nëmmen 30 μm erreecht ginn, mat Aspektverhältnisser vu méi wéi 10:1 - wouduerch laangjäreg Erausfuerderungen an der komplexer Deep-Via-Beschichtung geléist ginn.
On-Demand-Personaliséierung, Ënnerstëtzung fir verschidde Substratgréissten
Fäeg fir d'Veraarbechtung vu verschiddene Gréissten vu Glassubstrater, dorënner 600×600 mm, 510×515 mm a méi grouss Formater.
Prozessflexibilitéit mat Multi-Material Kompatibilitéit
De System ënnerstëtzt leetfäeg a funktionell Dënnschichten wéi Cu, Ti, W, Ni a Pt, wat individuell Léisunge fir d'Ufuerderunge vun der elektrescher Leetfäegkeet a Korrosiounsbeständegkeet erméiglecht.
Stabil Ausrüstungsleistung an einfach Ënnerhalt
Ausgestatt mat engem intelligenten Kontrollsystem erméiglecht d'Ausrüstung eng automatesch Parameteranpassung an Echtzäit-Iwwerwaachung vun der Schichtdickeuniformitéit. De modulare Design garantéiert eng einfach Ënnerhaltsaarbecht a reduzéiert d'Ausfallzäiten.
Applikatiounsberäich:
Uwendbar op fortgeschratt TGV/TSV/TMV Verpackungsprozesser, wat d'Beschichtung vun der Somschicht an Déifvia-Strukturen mat Aspektverhältnisser bis zu 10:1 erméiglecht.
Well de Maart fir fortgeschratt Verpackungen sech weider ausbreet, wäert d'Nofro fir Mikrovias a Strukturen mat héijem Aspektverhältnis weider eropgoen. D'Deep-Via-Beschichtungstechnologie vu ZHENHUA Vacuum bitt eng skalierbar, massenproduktiounsfäeg Léisung fir déi kritesch Beschichtungs-Erausfuerderungen am TGV an anere Verpackungsprozesser vun der nächster Generatioun, wat d'Verpackungseffizienz an d'Produktkonsistenz verbessert.
—Dësen Artikel gouf publizéiert vun Vakuumbeschichtungsanlagen Hiersteller Zhenhua Vakuum
Zäitpunkt vun der Verëffentlechung: 18. August 2025

