D'CVD-Technologie baséiert op enger chemescher Reaktioun. D'Reaktioun, bei där d'Reaktanten am gasfërmegen Zoustand sinn an ee vun de Produkter am festen Zoustand, gëtt normalerweis als CVD-Reaktioun bezeechent, dofir muss säi chemescht Reaktiounssystem déi folgend dräi Konditioune erfëllen.
(1) Bei der Oflagerungstemperatur mussen d'Reaktanten en ausreechend héijen Dampdrock hunn. Wann d'Reaktanten all bei Raumtemperatur gasfërmeg sinn, ass den Oflagerungsapparat relativ einfach. Wann d'Reaktanten bei Raumtemperatur ganz flüchteg sinn, ass de Wäert ganz kleng. Et muss erhëtzt ginn, fir datt et flüchteg gëtt, an heiansdo muss den Trägergas benotzt ginn, fir et an d'Reaktiounskammer ze bréngen.
(2) Vun de Reaktiounsprodukter mussen all Substanzen am gasfërmegen Zoustand sinn, ausser der gewënschter Oflagerung, déi am festen Zoustand ass.
(3) Den Dampdrock vum ofgesate Film soll niddreg genuch sinn, fir sécherzestellen, datt de ofgesate Film fest un engem Substrat mat enger bestëmmter Ofsetzungstemperatur während der Ofsetzungsreaktioun befestegt ass. Den Dampdrock vum Substratmaterial bei der Ofsetzungstemperatur muss och niddreg genuch sinn.
D'Oflagerungsreaktanten sinn an déi folgend dräi Haaptzoustänn opgedeelt.
(1) Gasformegen Zoustand. Quellmaterialien, déi bei Raumtemperatur gasfërmeg sinn, wéi Methan, Kuelendioxid, Ammoniak, Chlor, etc., déi am meeschte fir chemesch Gasoflagerung gëeegent sinn, a fir déi de Flossrate liicht reguléiert ka ginn.
(2) Flëssegkeet. Verschidde Substanzen, déi bei Raumtemperatur oder liicht méi héijer Temperatur reagéieren, hunn en héijen Dampdrock, wéi TiCI4, SiCl4, CH3SiCl3, etc., kënnen benotzt ginn, fir de Gas (wéi H2, N2, Ar) duerch d'Uewerfläch vun der Flëssegkeet oder d'Flëssegkeet an der Blos ze transportéieren, an dann déi gesättigte Damp vun der Substanz an de Studio transportéieren.
(3) Feststoff. Wann et keng gëeegent gasfërmeg oder flësseg Quell gëtt, kënnen nëmme Feststoff-Ausgangsmaterialien benotzt ginn. Verschidden Elementer oder hir Verbindungen an Honnerte vu Grad hunn en erheblechen Dampdrock, wéi TaCl5, Nbcl5, ZrCl4, etc., kënnen an de Studio bruecht ginn, andeems den Trägergas, deen an der Filmschicht ofgesat gëtt, benotzt gëtt.
Déi méi heefeg Situatiounstyp duerch e bestëmmte Gas an d'Reaktioun tëscht Gas-Feststoff oder Gas-Flëssegkeet vum Quellmaterial, d'Bildung vu passenden gasfërmegen Komponenten fir d'Studioliwwerung. Zum Beispill reagéieren HCl-Gas a Metall Ga fir eng gasfërmeg Komponent GaCl ze bilden, déi a Form vu GaCl an de Studio transportéiert gëtt.
– Dësen Artikel gouf publizéiert vunHiersteller vu VakuumbeschichtungsmaschinnenGuangdong Zhenhua
Zäitpunkt vun der Verëffentlechung: 16. November 2023