CVD 기술 작동 원리

CVD 기술은 화학 반응에 기반합니다. 반응물이 기체 상태이고 생성물 중 하나가 고체 상태인 반응을 일반적으로 CVD 반응이라고 하며, 따라서 화학 반응 시스템은 다음 세 가지 조건을 충족해야 합니다.

(1) 증착 온도에서 반응물은 충분히 높은 증기압을 가져야 합니다. 반응물이 모두 실온에서 기체 상태라면 증착 장치는 비교적 간단하지만, 반응물이 실온에서 휘발성이 매우 낮다면 가열하여 휘발성으로 만들어야 하며, 때로는 운반 가스를 사용하여 반응실로 옮겨야 합니다.
(2) 반응 생성물 중 원하는 침전물인 고체 상태를 제외한 모든 물질은 기체 상태여야 합니다.
(3) 증착막의 증기압은 증착 반응 동안 증착막이 특정 증착 온도의 기판에 단단히 부착될 수 있을 만큼 충분히 낮아야 한다. 증착 온도에서 기판 물질의 증기압 또한 충분히 낮아야 한다.
증착 반응물은 다음의 세 가지 주요 상태로 구분됩니다.
(1) 기체 상태. 메탄, 이산화탄소, 암모니아, 염소 등과 같이 실온에서 기체 상태인 원료 물질은 화학 기상 증착에 가장 적합하며 유량을 쉽게 조절할 수 있습니다.
(2) 액체. 일부 반응 물질은 실온 또는 약간 더 높은 온도에서 높은 증기압을 가지며, 예를 들어 TiCl4, SiCl4, CH3SiCl3 등은 기체(예: H2, N2, Ar)를 액체 표면 또는 액체 내부의 기포를 통해 흐르게 한 다음 물질의 포화 증기를 스튜디오로 운반하는 데 사용할 수 있습니다.
(3) 고체 상태. 적절한 기체 또는 액체 공급원이 없는 경우, 고체 상태의 원료만 사용할 수 있습니다. TaCl5, Nbcl5, ZrCl4 등과 같이 수백 도의 고온에서 상당한 증기압을 갖는 일부 원소 또는 그 화합물은 필름 층에 증착된 운반 가스를 통해 스튜디오로 운반될 수 있습니다.
더 일반적인 상황은 특정 가스와 원료 물질인 기체-고체 또는 기체-액체 반응을 통해 적절한 기체 성분을 형성하여 스튜디오로 전달하는 것입니다. 예를 들어, HCl 가스와 금속 Ga가 반응하여 기체 성분인 GaCl3를 형성하고, 이는 GaCl3의 형태로 스튜디오로 운반됩니다.

–이 기사는 다음에서 발행합니다.진공 코팅기 제조업체광둥진화