სათვალისა და ლინზებისთვის არსებობს მრავალი სახის სუბსტრატი, როგორიცაა CR39, PC (პოლიკარბონატი), 1.53 Trivex156, საშუალო გარდატეხის ინდექსის პლასტმასი, მინა და ა.შ. კორექციული ლინზებისთვის, როგორც ფისოვანი, ასევე მინის ლინზების გამტარობა მხოლოდ დაახლოებით 91%-ია და სინათლის ნაწილი უკან აირეკლება ორი შუქით...
1. ვაკუუმური საფარის ფენა ძალიან თხელია (ჩვეულებრივ 0.01-0.1 მიკრონი) | 2. ვაკუუმური საფარი შეიძლება გამოყენებულ იქნას მრავალი პლასტმასისთვის, როგორიცაა ABS﹑PE﹑PP﹑PVC﹑PA﹑PC﹑PMMA და ა.შ. 3. ფენის ფორმირების ტემპერატურა დაბალია. რკინისა და ფოლადის ინდუსტრიაში, ცხელი გალვანიზაციის საფარის ტემპერატურა ზოგადად 400 ℃-ს შორისაა...
1863 წელს ევროპაში ფოტოელექტრული ეფექტის აღმოჩენის შემდეგ, შეერთებულმა შტატებმა 1883 წელს დაამზადა პირველი (Se) შემცველი ფოტოელექტრული უჯრედი. ადრეულ ხანაში ფოტოელექტრული უჯრედები ძირითადად გამოიყენებოდა აერონავტიკაში, სამხედრო და სხვა სფეროებში. ბოლო 20 წლის განმავლობაში, ფოტოელექტრული უჯრედების ღირებულების მკვეთრი კლება...
1. დაბომბვის საწმენდი სუბსტრატი 1.1) გაფრქვევით საფარის მანქანა იყენებს მბზინავ განმუხტვას სუბსტრატის გასაწმენდად. ანუ, არგონის გაზი შედის კამერაში, განმუხტვის ძაბვა დაახლოებით 1000 ვ-ია, კვების წყაროს ჩართვის შემდეგ წარმოიქმნება მბზინავი განმუხტვა და სუბსტრატი იწმინდება ...
სამომხმარებლო ელექტრონიკის პროდუქტებში, როგორიცაა მობილური ტელეფონები, ოპტიკური თხელი ფირების გამოყენება ტრადიციული კამერის ლინზებიდან დივერსიფიცირებულ მიმართულებაზე გადავიდა, როგორიცაა კამერის ლინზები, ლინზების დამცავები, ინფრაწითელი გათიშვის ფილტრები (IR-CUT) და NCVM საფარი მობილური ტელეფონის ელემენტის ხუფებზე. კამერის სპეც...
CVD საფარის ტექნოლოგიას აქვს შემდეგი მახასიათებლები: 1. CVD აღჭურვილობის მუშაობის პროცესი შედარებით მარტივი და მოქნილია და მას შეუძლია მოამზადოს ერთჯერადი ან კომპოზიტური ფირები და შენადნობის ფირები სხვადასხვა პროპორციით; 2. CVD საფარს აქვს გამოყენების ფართო სპექტრი და შეიძლება გამოყენებულ იქნას წინასწარი...
ვაკუუმური საფარის აპარატის პროცესი იყოფა: ვაკუუმური აორთქლების საფარი, ვაკუუმური გაფრქვევის საფარი და ვაკუუმური იონური საფარი. 1. ვაკუუმური აორთქლების საფარი ვაკუუმურ პირობებში, აორთქლეთ მასალა, როგორიცაა ლითონი, ლითონის შენადნობი და ა.შ., შემდეგ კი დადეთ ისინი სუბსტრატის ზედაპირზე...
1. რა არის ვაკუუმური საფარის პროცესი? რა ფუნქცია აქვს? ე.წ. ვაკუუმური საფარის პროცესი იყენებს აორთქლებას და გაფრქვევას ვაკუუმურ გარემოში, რათა გამოყოს ფირის მასალის ნაწილაკები, რომლებიც ილექება ლითონზე, მინაზე, კერამიკაზე, ნახევარგამტარებსა და პლასტმასის ნაწილებზე საფარის ფენის შესაქმნელად, დეკორაციისთვის...
ვინაიდან ვაკუუმური საფარის მოწყობილობა მუშაობს ვაკუუმურ პირობებში, ის უნდა აკმაყოფილებდეს გარემოსთვის ვაკუუმის მოთხოვნებს. ჩემს ქვეყანაში შემუშავებულია სხვადასხვა ტიპის ვაკუუმური საფარის მოწყობილობის ინდუსტრიული სტანდარტები (მათ შორის ვაკუუმური საფარის მოწყობილობის ზოგადი ტექნიკური პირობები,...
ფირის ტიპი ფირის მასალა სუბსტრატი ფირის მახასიათებლები და გამოყენება ლითონის ფირი CrAI, ZnPtNi Au, Cu, AI P, Au Au, W, Ti, Ta Ag, Au, AI, Pt ფოლადი, რბილი ფოლადი, ტიტანის შენადნობი, მაღალნახშირბადოვანი ფოლადი, რბილი ფოლადი, ტიტანის შენადნობი, მყარი მინაპლასტიკი, ნიკელი, Inconel ფოლადი, უჟანგავი ფოლადი, სილიციუმი, ცვეთის საწინააღმდეგო...
ვაკუუმური იონური მოპირკეთება (შემოკლებით იონური მოპირკეთება) ზედაპირის დამუშავების ახალი ტექნოლოგიაა, რომელიც სწრაფად განვითარდა 1970-იან წლებში, რომელიც შემოთავაზებული იყო აშშ-ში Somdia Company-ის წარმომადგენელი დ.მ. მატოქსის მიერ 1963 წელს. ეს ეხება აორთქლების წყაროს ან გაფრქვევის სამიზნის გამოყენების პროცესს აორთქლების ან გაფრქვევისთვის...
① ანტირეფლექსიური ფირი. მაგალითად, კამერები, სლაიდ-პროექტორები, პროექტორები, კინოპროექტორები, ტელესკოპები, სამიზნე სათვალეები და ერთშრიანი MgF ფირები, რომლებიც დაფარულია სხვადასხვა ოპტიკური ინსტრუმენტების ლინზებსა და პრიზმებზე, ასევე ორშრიანი ან მრავალშრიანი ფართოზოლოვანი ანტირეფლექსიური ფირები, რომლებიც შედგება SiOFrO2, AlO, ...-სგან.
① ფირის სისქის კარგი კონტროლირებადობა და განმეორებადობა ფირის სისქის წინასწარ განსაზღვრული მნიშვნელობით კონტროლირებადობას ფირის სისქის კონტროლირებადობა ეწოდება. საჭირო ფირის სისქის გამეორება მრავალჯერ შეიძლება, რასაც ფირის სისქის განმეორებადობა ეწოდება. იმის გამო, რომ გამონადენი...
ქიმიური ორთქლის დეპონირების (CVD) ტექნოლოგია არის აპკის წარმოქმნის ტექნოლოგია, რომელიც იყენებს გათბობას, პლაზმურ გაძლიერებას, ფოტოდახმარებულ და სხვა საშუალებებს, რათა აირისებრი ნივთიერებები წარმოქმნას მყარი აპკები სუბსტრატის ზედაპირზე ნორმალური ან დაბალი წნევის ქვეშ ქიმიური რეაქციის გზით. ზოგადად, რეაქცია...
1. აორთქლების სიჩქარე გავლენას მოახდენს აორთქლებული საფარის თვისებებზე. აორთქლების სიჩქარეს დიდი გავლენა აქვს დალექილ ფენაზე. რადგან დაბალი დალექვის სიჩქარით წარმოქმნილი საფარის სტრუქტურა ფხვიერია და ადვილად წარმოქმნის დიდი ნაწილაკების დალექვას, ძალიან უსაფრთხოა მაღალი აორთქლების სიჩქარის არჩევა...